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【研究】微反應中氣泡生成階段傳質(zhì)規(guī)律

更新時間:2023-11-03  |  點擊率:591
  微反應器設備內(nèi)能夠較好地消除傳質(zhì)限制,使化學反應和分離過程得到強化,因此,研究微尺度下氣 / 液體系的傳質(zhì)性能對于氣 / 液接觸過程的微型化研究具有重要意義。

 

 

 
圖1:兩相流量、MEA 濃度對氣泡生成階段傳質(zhì)系數(shù)的影響,
 
(a),(b)并流通道;(c),(d)T 形通道
 
  圖1顯示了兩相流量對傳質(zhì)系數(shù)的影響??梢钥闯?,當氣相流量固定時,生成階段傳質(zhì)系數(shù)隨兩相相比的升高而略微增大;同時當相比固定時,不同于氣泡運動階段,生成階段傳質(zhì)系數(shù)隨氣相流量的增大而顯著上升。產(chǎn)生這一結果的原因是,在氣泡的形成過程中,氣泡內(nèi)部的內(nèi)環(huán)流一部分由于受到氣/液兩相的相對剪切作用而產(chǎn)生,主要由兩相流量比控制;另一部分由本身的分散相氣體不斷向通道內(nèi)注入所引起,主要受分散相氣體流量的影響。因此,兩相相比和氣相流量的增大增強了氣泡內(nèi)的內(nèi)環(huán)流,強化了傳質(zhì)過程,提高了總傳質(zhì)系數(shù)。從圖中還可以看出,當流量和氣相中CO2體積分數(shù)等操作條件固定時,液相總傳質(zhì)系數(shù)基本不隨MEA濃度的升高而變化。

圖2:CO2 體積分數(shù)對氣泡生成階段傳質(zhì)系數(shù)的影響, (a)并流通道;(b)T 形通道

 
  氣相中初始CO2體積分數(shù)對傳質(zhì)系數(shù)的影響如圖2所示,結果顯示液相總傳質(zhì)系數(shù)明顯隨初始CO2體積分數(shù)的升高而增大。產(chǎn)生這一結果的原因是,氣相中高的CO2濃度促進了氣膜側的傳質(zhì)過程。對于高濃度的氣體吸收過程,氣相中待吸收組分濃度的影響需要考慮進來,氣相膜傳質(zhì)系數(shù)可寫為:

 

 
  其中δ為膜厚度,p/pn2m為漂流因子,可以看出氣相膜傳質(zhì)系數(shù)隨CO2濃度的升高而增大。從而,提高氣相中初始CO2體積分數(shù)減小了氣相的膜傳質(zhì)阻力,增大了氣泡生成階段的液相總傳質(zhì)系數(shù)。
 
  并流通道內(nèi)氣泡生成階段液相總傳質(zhì)系數(shù)Kl在1.2×10−4~1.3×10−3m/s,T形通道內(nèi)Kl在1.1×10−4~1.3×10−3m/s范圍。氣泡生成階段的液相總傳質(zhì)系數(shù)呈現(xiàn)出與運動階段不盡相同的規(guī)律,主要依賴于兩相相比、氣相流量和氣相中CO2的體積分數(shù),并隨著相比、氣相流量和CO2體積分數(shù)的升高而增大,與液相中吸收劑濃度關系不大,表現(xiàn)出傳質(zhì)過程由氣相膜傳質(zhì)阻力控制的特點。這一結果是由于在氣泡的生成階段,連續(xù)相相對流速較大,液相表面更新速率較快,同時在較短的生成時間內(nèi)大量CO2不斷補充進來使得氣泡內(nèi)濃度分布不均,導致氣膜厚度較大,傳質(zhì)阻力主要集中在氣膜內(nèi)。

圖3:T 形通道與并流通道內(nèi)氣泡生成階段傳質(zhì)系數(shù)的比較

 
  不同的分散結構對氣泡生成階段傳質(zhì)系數(shù)的影響如圖3所示,結果顯示T形通道內(nèi)氣泡生成階段的傳質(zhì)系數(shù)略微高于并流通道。產(chǎn)生這一結果的原因是,同樣條件下,T形通道中連續(xù)相對分散相提供垂直方向的剪切力,剪切作用效率更高,一方面使得形成的氣泡分散尺寸減小、氣體擴散距離縮短,如圖4所示,另一方面促進了連續(xù)相中的吸收劑在氣泡表面的更新。同時,分散結構對氣泡形成過程中氣泡的內(nèi)部流場以及環(huán)繞氣泡的外部流場具有明顯的作用。由于并流通道具有的高度對稱結構使得氣泡內(nèi)部和外部流場也具有對稱性,而與此相對,T形通道中氣泡內(nèi)部和外部的內(nèi)環(huán)流流場具有高度不對稱性,局部強烈的內(nèi)環(huán)流在一定程度上有助于氣體組分擴散形成更均勻的濃度場,從而減小傳質(zhì)的膜層厚度和傳質(zhì)阻力。上述作用的共同結果使得T形通道內(nèi)氣泡生成階段的傳質(zhì)性能略高于并流通道。

圖4:并流通道與 T 形通道內(nèi)流場示意圖

 
由式(1)
 

 式(1)

 
  估算得到氣泡生成階段傳質(zhì)量占總傳質(zhì)量的比例,結果顯示并流通道內(nèi)氣泡生成階段傳質(zhì)貢獻量η在26%~50%范圍,T形通道內(nèi)η在25%~52%范圍。值得注意的是,氣泡的生成時間在2.5~5ms范圍,如圖5所示,而氣泡在通道內(nèi)流動的時間至少為生成時間的20倍以上。在如此短的氣泡形成時間內(nèi),生成階段的傳質(zhì)量占總傳質(zhì)量的比例η依然超過25%。由此可見,氣泡生成階段的傳質(zhì)量較為顯著不可忽略,特別是考慮到極短的傳質(zhì)時間。然而在常規(guī)的傳質(zhì)設備內(nèi),一般分散形成階段的傳質(zhì)貢獻量小于10%。微尺度下傳質(zhì)過程呈現(xiàn)出不同特點的原因是,氣泡分散尺寸的減小以及氣泡形成過程中內(nèi)部強烈的內(nèi)環(huán)流作用。

圖5:氣泡生成階段傳質(zhì)貢量與氣泡生成時間,(a)并流通道;(b)T 形通道

 
END
 
  參考文獻
 
  駱廣生,呂陽成,王凱,張吉松等,《微化工技術》化學工業(yè)出版社.

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